maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA779-2-HG3-18
Référence fabricant | BA779-2-HG3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA779-2-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA779-2-HG3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Series Connection |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Résistance @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-2-HG3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA779-2-HG3-18-FT |
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
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HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
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HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
APA150-PQG208A
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35C4N
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