maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA779-2-HG3-08
Référence fabricant | BA779-2-HG3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BA779-2-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA779-2-HG3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Series Connection |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Résistance @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-2-HG3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA779-2-HG3-08-FT |
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel