maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA283-TAP
Référence fabricant | BA283-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BA283-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA283-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 100MHz |
Résistance @ Si, F | 900 mOhm @ 10mA, 200MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA283-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA283-TAP-FT |
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2824-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M35E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel