maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / BA12004BF-E2
Référence fabricant | BA12004BF-E2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BA12004BF-E2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA12004BF-E2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | 7 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Puissance - Max | 620mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA12004BF-E2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA12004BF-E2-FT |
IMX17T110
Rohm Semiconductor
IMX1T108
Rohm Semiconductor
IMX3T108
Rohm Semiconductor
IMX4T108
Rohm Semiconductor
IMX5T108
Rohm Semiconductor
IMZ2AT108
Rohm Semiconductor
IMZ4T108
Rohm Semiconductor
SMBT 3904U E6327
Infineon Technologies
SMBT3904UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
SMBT3906UE6327HTSA1
Infineon Technologies
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C4
Intel
5AGXMA1D4F27C4N
Intel
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4S40G5H40I2N
Intel
A3P250L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45I3SGES
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel