maison / des produits / Protection de circuit / Fusibles réarmables PTC / B59935C0120A070
Référence fabricant | B59935C0120A070 |
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Numéro de pièce future | FT-B59935C0120A070 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B59935C0120A070 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Ceramic |
Tension - Max | 30V |
Courant - Max | 10A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 1.8A |
Actuel - Voyage (It) | 3.6A |
Temps de voyage | - |
Résistance - Initial (Ri) (Min) | - |
Résistance - Post Trip (R1) (Max) | - |
Résistance - 25 ° C (Typ) | 300 mOhms |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Évaluations | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.866" Dia x 0.138" T (22.00mm x 3.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.004" (25.50mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B59935C0120A070 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B59935C0120A070-FT |
YM120D170R250
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XC3S200A-4VQG100C
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Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
5SGXEA3K2F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I1N
Intel
A42MX09-PQG160
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF31C7N
Intel