maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C6V2-HE3-18
Référence fabricant | AZ23C6V2-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C6V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C6V2-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C6V2-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C6V2-HE3-18-FT |
AZ23C27-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C27-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C27-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CL080YF484I7G
Intel
EPF10K100EFI256-2
Intel
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7V585T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
10AX115H2F34I2SGE2
Intel
EP2AGZ350FF35C4N
Intel