maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B6V8-G3-18
Référence fabricant | AZ23B6V8-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B6V8-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23B6V8-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V8-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B6V8-G3-18-FT |
AZ23B30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8
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5SGXEA5N3F45C2N
Intel
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400I7N
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EP4SGX290FF35C3N
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