maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B6V2-HE3-08
Référence fabricant | AZ23B6V2-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B6V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B6V2-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V2-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B6V2-HE3-08-FT |
AZ23B2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFGG484
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F40C1N
Intel
5SGXEA5H3F35C2L
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ160A
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SBC356-2
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel