maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B51-HE3-18
Référence fabricant | AZ23B51-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B51-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B51-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 38V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B51-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B51-HE3-18-FT |
AZ23B22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B24-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1FGG484C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I4LN
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
5SGXEB5R2F43C3N
Intel
A1010B-2PL44I
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG100
Microsemi Corporation
A54SX08A-1FGG144
Microsemi Corporation