maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B47-HE3-08
Référence fabricant | AZ23B47-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B47-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B47-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 35V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B47-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B47-HE3-08-FT |
AZ23B16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B18-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B18-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B18-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S1000-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC2V40-5FGG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP384-SG32
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35F484C6
Intel
5SGXMA7N2F40C2LN
Intel
XC2V1500-5BGG575I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BGG329M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC208-3
Intel