maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B3V9-HE3-18
Référence fabricant | AZ23B3V9-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B3V9-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B3V9-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B3V9-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B3V9-HE3-18-FT |
AZ23B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
EP1C3T144C6
Intel
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
EP4CE55F23I7
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5SGSMD4K2F40C2LN
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EP4SGX360KF40C4N
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XC7VX485T-3FFG1761E
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LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6
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EP20K600CB652C9
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