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Référence fabricant | AVS475M2AE16B-F |
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Numéro de pièce future | FT-AVS475M2AE16B-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AVS |
AVS475M2AE16B-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
ESR (résistance série équivalente) | 63.5 Ohm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, Bypass, Decoupling |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 50mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 85mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.244" (6.20mm) |
Surface du terrain de montage | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS475M2AE16B-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AVS475M2AE16B-F-FT |
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CGO282M055L
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CG101T350R2C
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XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQG208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4CE6F17C7N
Intel
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX125EF29I5N
Intel