maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / AVS335M50B12T-F
Référence fabricant | AVS335M50B12T-F |
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Numéro de pièce future | FT-AVS335M50B12T-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AVS |
AVS335M50B12T-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.3µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | 60.3 Ohm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, Bypass, Decoupling |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 16mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 27.2mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.213" (5.40mm) |
Surface du terrain de montage | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS335M50B12T-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AVS335M50B12T-F-FT |
AVS336M50F24B-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
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A40MX04-VQG80M
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XC3S1400A-4FGG676C
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M1AGL600V2-FG484
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M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
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10M16DCF484A7G
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EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation