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Référence fabricant | AVS106M2AE16B-F |
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Numéro de pièce future | FT-AVS106M2AE16B-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AVS |
AVS106M2AE16B-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacitance | 10µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
ESR (résistance série équivalente) | 29.8 Ohm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, Bypass, Decoupling |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 50mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 85mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.244" (6.20mm) |
Surface du terrain de montage | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS106M2AE16B-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AVS106M2AE16B-F-FT |
CG102U075R3C
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
CG123U016R3C
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CG292U050R3C
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CG432U035R3C
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CG632U025R3C
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XC3S700A-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3
Intel
EP1K30FI256-2
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
5AGXBA3D6F27C6N
Intel
EP3SL340F1760C2N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
ICE40LM2K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation