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Référence fabricant | AVS105M50B12B-F |
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Numéro de pièce future | FT-AVS105M50B12B-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AVS |
AVS105M50B12B-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacitance | 1µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | 199 Ohm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, Bypass, Decoupling |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 10mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 17mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.213" (5.40mm) |
Surface du terrain de montage | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS105M50B12B-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AVS105M50B12B-F-FT |
AVS477M10F24B-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
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XC3S1500-4FGG676I
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XC4005XL-2VQ100I
Xilinx Inc.
M2GL060T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
EP3SL70F484C4L
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel