maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRLU3114Z
Référence fabricant | AUIRLU3114Z |
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Numéro de pièce future | FT-AUIRLU3114Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRLU3114Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3810pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLU3114Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRLU3114Z-FT |
BSC889N03LSGATMA1
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BSC889N03MSGATMA1
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