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Référence fabricant | AUIRFS8409-7P |
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Numéro de pièce future | FT-AUIRFS8409-7P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
AUIRFS8409-7P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 240A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 460nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13975pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS8409-7P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRFS8409-7P-FT |
BSL373SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL716SNH6327XTSA1
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BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
PMN15UN,115
NXP USA Inc.
PMN20EN,115
NXP USA Inc.
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN23UN,135
NXP USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
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5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
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LFEC10E-3F256C
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EPF10K10QC208-3N
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