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Infineon Technologies AUIRFR1018E

Name: AUIRFR1018E
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRFR1018E
Availability: InStock
Rating: 4.7 (76 reviews)

Numéro de pièce MFG: AUIRFR1018E

quantité disponible: 78040 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AUIRFR1018E.pdf

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AUIRFR1018E Caractéristiques

Référence fabricant	AUIRFR1018E
Numéro de pièce future	FT-AUIRFR1018E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
AUIRFR1018E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-Pak
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFR1018E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AUIRFR1018E-FT

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