maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / ATS667LSGTN-T
Référence fabricant | ATS667LSGTN-T |
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Numéro de pièce future | FT-ATS667LSGTN-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ATS667LSGTN-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Special Purpose |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | South Pole |
Plage de détection | 70% Trip, 30% Release |
Condition de test | 25°C |
Tension - Alimentation | 4V ~ 24V |
Courant - Alimentation (Max) | 12mA |
Courant - Sortie (Max) | 25mA |
Le type de sortie | Open Drain |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquet / caisse | 4-SSIP |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS667LSGTN-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ATS667LSGTN-T-FT |
AH180-PL-B
Diodes Incorporated
AH180-PL-B-S
Diodes Incorporated
AH182-PL-B
Diodes Incorporated
AH183-PL-B
Diodes Incorporated
AH337-PL-B
Diodes Incorporated
AH3391Q-P-B
Diodes Incorporated
AH373-PG-B
Diodes Incorporated
AH373-PL-B
Diodes Incorporated
AH375-PL-B
Diodes Incorporated
ATS137-PG-B-A
Diodes Incorporated
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45I2N
Intel
EP2SGX90EF1152C5
Intel
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation