maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / ATS605LSGTN-S-T
Référence fabricant | ATS605LSGTN-S-T |
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Numéro de pièce future | FT-ATS605LSGTN-S-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ATS605LSGTN-S-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Special Purpose |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | - |
Plage de détection | - |
Condition de test | - |
Tension - Alimentation | 4V ~ 24V |
Courant - Alimentation (Max) | 13mA |
Courant - Sortie (Max) | 25mA |
Le type de sortie | Open Drain |
Caractéristiques | Temperature Compensated |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paquet / caisse | 4-SSIP |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS605LSGTN-S-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ATS605LSGTN-S-T-FT |
AH182-PL-B
Diodes Incorporated
AH183-PL-B
Diodes Incorporated
AH337-PL-B
Diodes Incorporated
AH3391Q-P-B
Diodes Incorporated
AH373-PG-B
Diodes Incorporated
AH373-PL-B
Diodes Incorporated
AH375-PL-B
Diodes Incorporated
ATS137-PG-B-A
Diodes Incorporated
ATS137-PG-B-B
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-A
Diodes Incorporated
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel