maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AT34C02BY6-10YH-1.7
Référence fabricant | AT34C02BY6-10YH-1.7 |
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Numéro de pièce future | FT-AT34C02BY6-10YH-1.7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT34C02BY6-10YH-1.7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-UFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-Mini Map (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT34C02BY6-10YH-1.7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT34C02BY6-10YH-1.7-FT |
IDT71V67602S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
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Intel
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Intel
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Intel