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Référence fabricant | AT25DF512C-MAHNGU-Y |
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Numéro de pièce future | FT-AT25DF512C-MAHNGU-Y |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT25DF512C-MAHNGU-Y Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8µs, 3.5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-UFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-UDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25DF512C-MAHNGU-Y Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT25DF512C-MAHNGU-Y-FT |
M24128-BFMH6TG
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M24C02-FMH6TG
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M24C64-DFCT6TP/K
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A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
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XC3S200AN-4FTG256C
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XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
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LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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EPF10K30AQC208-1N
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