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Référence fabricant | AT25DF081-SSHN-B |
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Numéro de pièce future | FT-AT25DF081-SSHN-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT25DF081-SSHN-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 8Mb (256 Bytes x 4096 pages) |
Fréquence d'horloge | 66MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25DF081-SSHN-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT25DF081-SSHN-B-FT |
GD25Q40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel