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Référence fabricant | AT25DF081-SSHN-B |
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Numéro de pièce future | FT-AT25DF081-SSHN-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT25DF081-SSHN-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 8Mb (256 Bytes x 4096 pages) |
Fréquence d'horloge | 66MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25DF081-SSHN-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT25DF081-SSHN-B-FT |
GD25Q40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel