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Référence fabricant | AT25DF081-SSHN-B |
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Numéro de pièce future | FT-AT25DF081-SSHN-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT25DF081-SSHN-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 8Mb (256 Bytes x 4096 pages) |
Fréquence d'horloge | 66MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25DF081-SSHN-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT25DF081-SSHN-B-FT |
GD25Q40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
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5SGXEA9N3F45I4N
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LFEC33E-5F672C
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LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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