maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AT21CS01-SSHM10-B
Référence fabricant | AT21CS01-SSHM10-B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AT21CS01-SSHM10-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT21CS01-SSHM10-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (128 x 8) |
Fréquence d'horloge | 125kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C, Single Wire |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT21CS01-SSHM10-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT21CS01-SSHM10-B-FT |
W25Q40EWSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q64BVSSIG
Winbond Electronics
W25Q64CVSSIG
Winbond Electronics
W25Q64DWSSIG
Winbond Electronics
W25Q64FVSS00
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIF
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIG
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIP
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIQ
Winbond Electronics
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel