maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / AT-41535G
Référence fabricant | AT-41535G |
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Numéro de pièce future | FT-AT-41535G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AT-41535G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz |
Gain | 10dB ~ 18dB |
Puissance - Max | 500mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD (35 micro-X) |
Package d'appareils du fournisseur | 35 micro-X |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT-41535G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AT-41535G-FT |
2301
Microsemi Corporation
2307
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2324-20
Microsemi Corporation
23A005
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23A008
Microsemi Corporation
2731-200P
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2A5
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2N2857UB
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2N4957
Microsemi Corporation
2N5031
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EX64-TQG100A
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XA2S200E-6FT256I
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XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
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5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
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EPF10K50VBC356-3N
Intel