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Référence fabricant | AS6C6416-55BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C6416-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C6416-55BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C6416-55BINTR-FT |
AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
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AT45DB041B-SI
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AT45DB041B-SI-2.5
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AT45DB041B-SU
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AT45DB161D-SU
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AT45DB321D-SU-2.5
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AT93C56AW-10SU-2.7
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AS4C2M32D1-5TCN
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AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL025-FCSG325I
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A42MX16-3TQ176I
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A54SX08A-FGG144
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A42MX16-3PQ100I
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LFXP15C-4FN256I
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LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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