maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS6C2008A-55BINTR
Référence fabricant | AS6C2008A-55BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C2008A-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C2008A-55BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 36-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008A-55BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C2008A-55BINTR-FT |
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel