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Référence fabricant | AS6C2008-55SIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C2008-55SIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C2008-55SIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55SIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C2008-55SIN-FT |
AS4C8M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8SC-7TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6TAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M4SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel