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Référence fabricant | AS4C8M32MD2A-25BCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C8M32MD2A-25BCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C8M32MD2A-25BCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 256Mb (8M x 32) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-FBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32MD2A-25BCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C8M32MD2A-25BCN-FT |
AS7C1026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026C-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026C-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-10JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel