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Référence fabricant | AS4C8M16SA-6BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C8M16SA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C8M16SA-6BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M16SA-6BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C8M16SA-6BINTR-FT |
MX25U1635FZBI-10G
Macronix
MX25U1635FZNI-10G
Macronix
MX25U1635FZUI-10G
Macronix
MX25U2033EZBI-12G
Macronix
MX25U3235FZBI-10G
Macronix
MX25U3235FZCI-10G
Macronix
MX25U4033EZBI-12G
Macronix
MX25U5121EMI-14G
Macronix
MX25U6473FM2I-10G
Macronix
MX25V1035FM1I
Macronix
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel