maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C64M16MD1-6BINTR
Référence fabricant | AS4C64M16MD1-6BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16MD1-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16MD1-6BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16MD1-6BINTR-FT |
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
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W631GU8KB-15
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W631GU8KB-15 TR
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W631GU8KB12I
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W631GU8KB12I TR
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W631GU8KB15I
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W631GU8KB15I TR
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W632GU8KB-12
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W632GU8KB-12 TR
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A40MX02-VQG80M
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XC3SD1800A-4CS484LI
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XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
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EP20K200EQC240-1X
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