maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C64M16MD1-6BCNTR
Référence fabricant | AS4C64M16MD1-6BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16MD1-6BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16MD1-6BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16MD1-6BCNTR-FT |
W631GG8KB15I
Winbond Electronics
W631GG8KB15I TR
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W631GU8KB-12
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W631GU8KB-15
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W631GU8KB15I TR
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LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
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EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel