maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C64M16D3-12BIN
Référence fabricant | AS4C64M16D3-12BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16D3-12BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16D3-12BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (13x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3-12BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16D3-12BIN-FT |
AS7C3256A-20TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TIN
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AS7C3256B-10TINTR
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AS4C256M16D3B-12BCN
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AS4C128M16D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BCN
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AS4C256M16D3B-12BIN
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AS4C512M16D3L-12BIN
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AS4C256M16D3LB-12BAN
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