maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C64M16D3-12BAN
Référence fabricant | AS4C64M16D3-12BAN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16D3-12BAN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C64M16D3-12BAN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (13x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3-12BAN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16D3-12BAN-FT |
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
AT49F002NT-70PC
Microchip Technology
AT49F002NT-70PI
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AT49F002NT-90PC
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AT49F002NT-90PI
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AT49F002T-12PC
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AT49F002T-12PI
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AT49F002T-70PI
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XC2VP70-6FF1517C
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XC7S75-2FGGA676I
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5SGXMA4K2F40C3N
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10CX105YF672I6G
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XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
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10AX057K2F35I1SG
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