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Référence fabricant | AS4C64M16D1-6TCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16D1-6TCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16D1-6TCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D1-6TCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16D1-6TCN-FT |
AS7C256A-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel