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Référence fabricant | AS4C64M16D1-6TCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C64M16D1-6TCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C64M16D1-6TCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D1-6TCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C64M16D1-6TCN-FT |
AS7C256A-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel