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Référence fabricant | AS4C512M8D3LB-12BCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C512M8D3LB-12BCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C512M8D3LB-12BCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (10.5x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3LB-12BCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C512M8D3LB-12BCN-FT |
AS4C16M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel