maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C512M8D3B-12BAN
Référence fabricant | AS4C512M8D3B-12BAN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C512M8D3B-12BAN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3B-12BAN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Preliminary |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3B-12BAN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C512M8D3B-12BAN-FT |
93LC56C-I/W15K
Microchip Technology
93LC56C-I/WF15K
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93LC56C/S15K
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93LC56C/W15K
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93LC56C/WF15K
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93LC56CT-E/MC15KVAO
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93LC66BT-I/OT15KVAO
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93LC66C-I/S15K
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93LC66C-I/W15K
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93LC66C-I/WF15K
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XCS10XL-4VQG100I
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XC6SLX25T-3FGG484I
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A3P250L-VQG100I
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5CEBA4F17C6N
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LFE2M100E-7F900C
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