maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C4M32D1-5BIN
Référence fabricant | AS4C4M32D1-5BIN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AS4C4M32D1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C4M32D1-5BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | 144-BGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M32D1-5BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C4M32D1-5BIN-FT |
AS4C32M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SC-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-5TCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel