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Référence fabricant | AS4C32M16MSA-6BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C32M16MSA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C32M16MSA-6BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 5.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-FBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MSA-6BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C32M16MSA-6BINTR-FT |
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation