maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C32M16D3L-12BIN
Référence fabricant | AS4C32M16D3L-12BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C32M16D3L-12BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C32M16D3L-12BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D3L-12BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C32M16D3L-12BIN-FT |
AT49F002N-70PI
Microchip Technology
AT49F002N-90PC
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AT49F002N-90PI
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AT49F002NT-12PC
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AT49F002NT-12PI
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AT49F002NT-70PC
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AT49F002NT-70PI
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AT49F002NT-90PC
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AT49F002NT-90PI
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AT49F002T-12PC
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
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EP1S25B672C6N
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XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
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ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
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