maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C32M16D3-12BIN
Référence fabricant | AS4C32M16D3-12BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C32M16D3-12BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C32M16D3-12BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D3-12BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C32M16D3-12BIN-FT |
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
AT49F002NT-70PC
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AT49F002NT-70PI
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AT49F002NT-90PC
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AT49F002NT-90PI
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AT49F002T-12PC
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AT49F002T-12PI
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AT49F002T-70PC
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AT49F002T-70PI
Microchip Technology
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
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XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
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AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
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Intel