maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C256M8D2-25BCN
Référence fabricant | AS4C256M8D2-25BCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C256M8D2-25BCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C256M8D2-25BCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 57.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D2-25BCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C256M8D2-25BCN-FT |
AS4C256M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
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Winbond Electronics
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
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LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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EPF10K30AQC208-1N
Intel