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Référence fabricant | AS4C256M16D3L-12BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C256M16D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C256M16D3L-12BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (13x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3L-12BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C256M16D3L-12BINTR-FT |
AS7C3256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TIN
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel