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Référence fabricant | AS4C256M16D3L-12BAN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C256M16D3L-12BAN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3L-12BAN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (9x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3L-12BAN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C256M16D3L-12BAN-FT |
AS7C256A-20TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel