maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C16M16MD1-6BIN
Référence fabricant | AS4C16M16MD1-6BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M16MD1-6BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M16MD1-6BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FPBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MD1-6BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M16MD1-6BIN-FT |
93LC46B/W15K
Microchip Technology
93LC46B/WF15K
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93LC46BT-I/OT15KVAO
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93LC46C-I/S15K
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93LC46C-I/W15K
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93LC46C-I/WF15K
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93LC46C/S15K
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93LC46C/W15K
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93LC46C/WF15K
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93LC56C-I/S15K
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M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
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EP1M350F780I6
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XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
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