maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C16M16MD1-6BINTR
Référence fabricant | AS4C16M16MD1-6BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M16MD1-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M16MD1-6BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FPBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MD1-6BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M16MD1-6BINTR-FT |
93LC46B/WF15K
Microchip Technology
93LC46BT-I/OT15KVAO
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93LC46C-I/S15K
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93LC46C-I/W15K
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93LC56C-I/S15K
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93LC56C-I/W15K
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XC2S30-5VQ100C
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XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
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EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation