maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C128MD2-25BCNTR
Référence fabricant | AS4C128MD2-25BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128MD2-25BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128MD2-25BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128MD2-25BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128MD2-25BCNTR-FT |
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
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W631GG8KB-15
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W631GG8KB-15 TR
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W631GG8KB12I
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W631GG8KB12I TR
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W631GG8KB15I
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W631GG8KB15I TR
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W631GU8KB-12
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W631GU8KB-12 TR
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XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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