maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C128M8D3B-12BIN
Référence fabricant | AS4C128M8D3B-12BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M8D3B-12BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128M8D3B-12BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3B-12BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M8D3B-12BIN-FT |
AS6C4016A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel