maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C128M8D3A-12BANTR
Référence fabricant | AS4C128M8D3A-12BANTR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AS4C128M8D3A-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M8D3A-12BANTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (8x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3A-12BANTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M8D3A-12BANTR-FT |
AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation