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| Référence fabricant | AS4C128M8D2-25BCNTR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-AS4C128M8D2-25BCNTR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| AS4C128M8D2-25BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
| Fréquence d'horloge | 400MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400ps |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 60-TFBGA |
| Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AS4C128M8D2-25BCNTR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | AS4C128M8D2-25BCNTR-FT |

AS4C256M8D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.

W631GG8KB-11
Winbond Electronics

W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics

W631GG8KB-12
Winbond Electronics

A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation

LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.

XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.

XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.

5CEBA9F27C7N
Intel

5SGXEA5H1F35I2N
Intel

LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXMA3D4F31I3G
Intel

EPF10K30AQC208-1N
Intel